但是，年江离子液体屏蔽了离子键，并限制了溶剂化链之间的氢键。
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往期回顾：力市楼市股市都涨了，力市你投的文章影响因子涨了吗？博后工资很高？来看看我们的实时调研你就知道了（一）读博期间压力来自哪里，最糟心的是什么事，来看看他们怎么说？这项关于导电工程塑料的工艺技术实现低成本量产了——专访创新人了解详情本文由材料人专栏作者tt供稿，材料人编辑部Alisa编辑。场数荧光量子产率测试表明过渡金属离子掺杂对CsPbBr3量子点的发光性能不会产生不良影响。
【小结】该工作利用3d轨道部分填充的过渡金属离子掺杂显著抑制了场致离子迁移，据汇提升了钙钛矿横向器件在外电场作用下的工作稳定性。理论计算的第二个重要结果（图4）是利用晶体轨道哈密顿矩阵布居（CrystalOrbitalHamiltonPopulation，总及COHP）分析了化学键的强度，总及发现不仅Ni-Br键和Mn-Br键强于Pb-Br键，而且Ni2+和Mn2+的引入还可以提高Pb-Br键的强度，即使那些距离过渡金属离子较远的Pb-Br键也能获得增强效果。
图5 投影态密度分析：分析a 未掺杂，b Mn掺杂，c Ni掺杂，d Zn掺杂，e Bi掺杂。对于Zn2+和Bi3+掺杂，年江Zn-Br和Bi-Br键不仅弱于Pb-Br键，年江而且周围的Pb-Br键要么增强效果不明显，要么出现不同程度的削弱，与Ni2+和Mn2+掺杂结果形成了鲜明对比。
